一、DDR2内存技术浅析

　　DDR2是由JEDEC(电子元件工业联合会)定义的全新的下一代DDR内存技术标准。与DDR技术相比，DDR2最大特点是采用4-bit Prefetch技术不定期有效提升内存。

　　DDR2内存的基本根本工作原理类似于DDR SDRAM。只不过，DDR SDRAM每个时钟周期内可能通过总线传输两次数据，而DDR2 SDRAM则可以传统4次数据。DDR2使用一样的内存cell，但是使用多路技术使得带宽加倍。

　　DDR2内存cell的工作频率仍然与DDR SDRAM和SDRAM的cell工作频率一样，但是DDR2 SDRAM的I／O缓冲区的工作频率要更高一些。与DDR2与缓冲区连结内存cell的总线带宽是DDR的两倍。这样，当I/O缓冲区执行多路技术时：数据沿着一条较宽的总线进入内存cell，然后又通过一条与DDR SDRAM总线位宽相当的总线出来，但它的传输速率却是DDR SDRAM的两倍。这种数据传输方式又叫四位预读取（4bit Prefect）架构，类似于Rambus的四倍Rambus信号模型技术，同样可以在核心频率较低的情况下实现较高的数据传输率。然而，这个方法虽然可以有效果提高内存带宽，但也有它的缺点-----最主要的缺点就是高延迟。内存延迟不取决于I/O缓冲区的工作频率或数据从内存cell进入总线的位宽多少。影响延迟的主要因素是内存cell自身的延迟。DDR2-533的延迟相对DDR266或PC133 SDRAM来说都要高，更不用说与DDR400相比了。

　　针对延迟问题，厂商们在DDR2中引入了posted CAS技术、通过使用附加延迟（additive latency）的概念来改善延迟所带来的问题。简单说，设定整个读延迟为CAS延迟（CL）加上附加延迟，这样做的好处是能够使CAS命令紧接着RAS命令，tRCD被附加延迟取代。而DDR2的写延迟为读延迟周期减一个时钟周期，DDR2通过增加地址和命令的FIFO（先入先出）寄存器来实现posted CAS，通过寄存器保存CAS命令和地址一直到附加延迟结束。在DDR2段交错操作（bank-interleaving operation）时使用4bit突发模式来提高总线利用率。不过，此项功能对目前老版DDR2而言几乎没有效果。早期DDR2-533 SDRAM模块仅能工作在4-4-4 timings(CAS Latency - RAS to CAS Delay - RAS Precharge Time)模式下，延迟要比DDR高出不少。不能低估这个延迟，内存寻址的高延迟将导致低性能。

　　不过这种情况目前已经有所改观，许多内存制造商，特别象Corsair或OCZ此类为PC发烧友推出先进内存模块的内商，已经推出了支持3-3-3 timings规格、工作频率为533MHz的DDR2 SDRAM内存模块。必须强调的是这些模块不是通过超频获得的，而完全符合JEDEC标准(官方文件中DDR2-533修正版的规格：支持3-3-3 timings并且电压增加到1.9v)。英特尔也在最新LGA775系统中对3-3-3 timings的DDR2-533 SDRAM提供了支持。英特尔公司目前已经正式证实它的新芯片组将支持此类规格内存，并且强调此类的内存将是超级玩家们的最佳选择。理论上，DDR2-533的CAS延迟减小了3个时钟周期是新版DDR2 SDRAM的参数最大改进之处。

　　除此之外，DDR2中还引入了ODT、OCD等先进技术。OCD（Off-Chip Driver），也就是所谓的离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。DDR2通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。而ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

　　与DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式不同，DDR2内存均采用FBGA封装形式。与广泛应用的TSOP封装形式相比，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

二、主流DDR2内存点评

　　伴着众人的非议与疑惑，不少厂商已经推出了DDR2内存产品。目前市场上的DDR2显存规格有DDR2-400、DDR-533、DDR2-667三种型号。由于DDR2-400的频率低，性能差，目前已经退出了正市场。DDR2-533目前是DDR2市场的主流产品，其又分旧版与新版DDR2-533之分：其中旧版DDR2-533只能工作在4-4-4 timings模式下，延迟较高，性能要差于DDR400；新版DDR2-533则可以在3-3-3 timings模式工作，虽然延迟仍稍微比DDR400高，但凭借高带宽的优势，性能已经等于或超过了目前的DDR400内存，不过新版DDR2-533主要针对PC发烧友，目前在市场仍很难买到，而且价格也较高。至于DDR2-667，虽然频率较高，但由于目前915、925主板仍不支持DDR2-667，即使有些主板可以提供所谓的DDR2-600设置选项，但从相关测试结果来看，性能并不比DDR2-533强，因此在这里并不建议你选择，除非你用于超频。而内存容量上，DDR2的规格刚要比DDR要海量得多，从256MB、512MB、1GB都有选择。

　　下面我们根据目前的市场情况介绍一下主流DDR2内存产品，相应的产品报价大家可以点击这里进入太平洋报价系统。

　　1、威刚Vitesta系列DDR2-533内存

　　威刚科技是一家2001年创立的公司，相对于众多老牌的内存厂商，威刚还是一个非常年轻的公司。然而，在短短两年多的时间，威刚在瞬息万变的内存市场上站稳了脚跟，发展速度惊人，同时它的DDR2内存也是最先取得Intel DDR2认证资格的产品之一。

　　Vitesta系列DDR2-533内存仍延续了威刚Vitesta系列产品的红色散热片设计，其方正的颗粒封装方式、内存的长度和普通的DDR内存完全不同，目前主要采用三星及ELPIDA（注：ELPIDA 是日本著名的内存颗粒生产厂商，由 NEC、日立和三菱共同组建。）两厂商的内存颗，工作电压为1.8V，采用最先进的0.10微米制造工艺，频率为533MHz，内存容量从256MB至1GHz规格相当齐全。值得一提的是Vitesta系列DDR2-533的内存时序是4-4-4-11，比大多数4-4-4-12时序的内存参数要好一些。另外，虽然数据传输数率达到533MHz，其实内存模块的工作频率并不高，发热量也不大，不需要散热片。在质保方面，威刚对Vitesta系列DDR2-533内存提供终身质保的保修期限，并且五年之中如果出现任何问题可以免费更换。

　　2、富豪DDR2-533内存

　　富豪DDR2-533内存采用了绿色的PCB板设计，主要采用infineon(英飞凌)mBGA封装颗粒，总容量为256MB到1GHz一应俱全，频率为533MHz。DDR2采用了1.8V的工作电压，区别于DDR SDRAM的2.5V，DDR2可以降低功耗40%以上，这意味着内存的发热量也降低了。

　3、Kingston ValueRam/HyperX系列DDR2内存

　　Kingston作为传统的内存大厂，其产品一向以质量稳定，超频性能优异而著称。在这DDR2的浪潮中，Kingston当然不能落后，也迅速的推出了高端产品――DDR2 533的内存。

　　其中ValueRam系列DDR2内存是针以主流市场推出的产品。此系列产品并没有配置散热片，一般采用ELPIDA E5108AB -5C –E颗粒，内存的工作频率为266HMz，延时参数为（Latency CL-tRCD-tRP，4-4-4）。常见的主要有256MB、512MB两种容量。

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