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Current Host Clock（当前主时钟）
此项显示可当前CPU的频率。
Configure SDRAM Timing by
设置决定SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的SPD (SerialPresence Detect) EEPROM 内容决定。设置为Enabled将根据SPD自动如果您对芯片组不熟悉请不要修改这些设定。决定以下项目SDRAM Frequency, SDRAM CAS# Latency, RowPrecharge Time, RAS Pulse Width, RAS to CAS Delay 和SDRAM BankInterleave 。选择User允许用户受动配置这些项目。
SDRAM Frequency（SDRAM时钟）
使用此项设定所安装内存的时钟，设定选项为： 200MHz, 266MHz,333MHz, 400MHz, Auto。*查阅附录：详细的关于推荐的DDR400内存模组
SDRAM CAS# Latency（SDRAM CAS#延迟）
项控制在SDRAM接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为：1.5, 2, 2.5, 3.0 (clocks)。2 (clocks)是增加系统性能，而3 (clocks)是增加系统的稳定性。
Row Precharge Time（行充电时间）
此项可以控制行地址滤波(RAS) 充电时钟周期数。如果在内存刷新前没有足够的时间允许RAS充电，刷新可能不完全并且内存可能保存数据失败。此项仅在系统中安装有同步DRAM才有效。有效的设定： 2T, 3T。
RAS Pulse Width（RAS脉冲波长）
此项允许您根据内存规格，设置RAS脉冲波长的时钟周期数。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有： 6T, 5T。
RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟）
当DRAM 刷新后，所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有： 3T, 2T。
Bank Interleave（堆插入数）
此项设定安装的SDRAM的插入数是2-堆还是4-堆。如果安装16MBSDRAM 请禁用此功能。设定值为：Disabled（禁用）， 2-Way 和 4-Way。
DDR DQS Input Delay (DDR DQS输入延迟)
此项允许您设定DQS 的延迟时间，以改善数据处理速度，同时提升稳定性。设定值有：Auto, 18, 08, 0E, 0F。
SDRAM Burst Length（SDRAM爆发存取长度）
此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性，你必须要定义爆发长度，也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值： 4 QW, 8 QW。
SDRAM 1T Command（SDRAM 1T指令）
此项控制SDRAM的指令速率。选择Enabled（启用）允许SDRAM信号控制器运行在1T (T=时钟周期)速度。选择Disabled（禁用） 使SDRAM 信号控制器运行在2T 速度。1T 比2T的速度快。设定值有： Disabled（禁用），Enabled（启用）。
Fast Command（快速指令）
此项可以控制CPU的内在速率。选择Ultra允许CPU 以最快的速度运算数据/指令。Fast允许CPU 快速运算，Normal会让CPU在慢一点的速度运算。
Fast R-2-R Turnaround(快速R-2-R转向)
任何一个内存库的读请求都可以中断爆发读取操作对任何列的访问都是被允许。读操作到读操作最小间隔是1个时钟周期。选择Enabled 可以缩短转向时间间隔，进而提升系统性能表现。
设定值有: Disabled, Enabled。
AGP Timing Control（AGP调速控制）
按下<Enter> （回车）进入子菜单并显示以下屏幕：
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详解AMI BIOS设置
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